2SK3568 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
Πατήστε πάνω σε οποιαδήποτε εικόνα για μεγέθυνση
Share:
Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.4Ω (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm
- Κωδικός είδους: 371063410003
- B. Κωδ.: K3568
-
Διαθεσιμότητα:
Διαθέσιμο
Σημαντικό: Για παραλαβή από το κατάστημά μας θα πρέπει πρώτα να επικοινωνήσετε τηλεφωνικά μαζί μας προς αποφυγή οποιασδήποτε ταλαιπωρίας.
Περιγραφή είδους
Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.4Ω (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm
Σχετικά προϊόντα
Μακρης 8, 12241 Αιγαλεω - Αθηνα
210-5980145 | 210-5901793
fax 210-5909833
,
