IRF630 N-channel MOSFET Transistor, 9 A, 200 V, 3-Pin TO-220

 Πατήστε πάνω σε οποιαδήποτε εικόνα για μεγέθυνση



      Share:

Κατασκευαστής STMicroelectronics Τύπος τρανζίστορ N-MOSFET Τεχνολογία MESH OVERLAY™ II Πόλωση αμφιπολικό Τάση πυρήνα - πηγής 200V Ρεύμα αποστράγγισης 5.7A Ισχύς απαγωγής 75W Περίβλημα TO220-3 Τάση πύλης - πηγής ±20V Αγώγιμη αντίσταση 400mΩ Συναρ

  • Κωδικός είδους: 371064310000
  • B. Κωδ.: IRF630
  • Διαθεσιμότητα: Διαθέσιμο
    Σημαντικό: Για παραλαβή από το κατάστημά μας θα πρέπει πρώτα να επικοινωνήσετε τηλεφωνικά μαζί μας προς αποφυγή οποιασδήποτε ταλαιπωρίας.
1,90€ 1.9
Τιμές με Φ.Π.Α
Αγορά Wishlist Σύγκριση
Το προϊόν προστέθηκε με επιτυχία στο καλάθι
Περιγραφή είδους
Κατασκευαστής STMicroelectronics
Τύπος τρανζίστορ N-MOSFET
Τεχνολογία MESH OVERLAY™ II
Πόλωση αμφιπολικό
Τάση πυρήνα - πηγής 200V
Ρεύμα αποστράγγισης 5.7A
Ισχύς απαγωγής 75W
Περίβλημα TO220-3
Τάση πύλης - πηγής ±20V
Αγώγιμη αντίσταση 400mΩ
Συναρ

Κατασκευαστής STMicroelectronics
Τύπος τρανζίστορ N-MOSFET
Τεχνολογία MESH OVERLAY™ II
Πόλωση αμφιπολικό
Τάση πυρήνα - πηγής 200V
Ρεύμα αποστράγγισης 5.7A
Ισχύς απαγωγής 75W
Περίβλημα TO220-3
Τάση πύλης - πηγής ±20V
Αγώγιμη αντίσταση 400mΩ
Συναρμολόγηση THT
Είδος καναλιού εμπλουτισμένο
Ιδιότητες ημιαγωγικών εξαρτημάτων ESD protected gate
Σχετικά προϊόντα

Newsletter

Εγγραφείτε στο newsletter μας για να μαθαίνετε πρώτοι τις προσφορές και τα νέα προϊόντα! Εγγραφή
 
paypalpireausvisamastercardmaestrodiners clubsslmastercardvisarapidssl

Markidis Electronics © 2024. All rights reserved. Designed & Developed with care by TotalWeb®