IPB049NE7N3 G N-channel MOSFET, 80 A, 75 V OptiMOS 3, 3-Pin D2PAK
- Κωδικός είδους: 530012910020
- B. Κωδ.: IPB049NE7N3 G
-
Διαθεσιμότητα:
Διαθέσιμο
Σημαντικό: Για παραλαβή από το κατάστημά μας θα πρέπει πρώτα να επικοινωνήσετε τηλεφωνικά μαζί μας προς αποφυγή οποιασδήποτε ταλαιπωρίας.
Maximum Operating Temperature +175 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 10.31mm
Transistor Configuration Single
Typical Turn-On Delay Time 14 ns
Brand Infineon
Typical Turn-Off Delay Time 30 ns
Maximum Continuous Drain Current 80 A
Package Type D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation 150 W
Series OptiMOS 3
Mounting Type Surface Mount
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 9.45mm
Forward Transconductance 103s
Maximum Gate Threshold Voltage 3.8V
Height 4.57mm
Minimum Gate Threshold Voltage 2.3V
Maximum Drain Source Resistance 4.9 mO
Maximum Drain Source Voltage 75 V
Pin Count 3
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ DISCRETE ΝΡΤ IGBT 75A/1200V
B. Κωδ.: IXDN75N120
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 20A/800V
B. Κωδ.: IXFH20N80Q
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ POWER MOSFET HIPERFET 26A/500V
B. Κωδ.: IXFH26N50
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 32A/500V
B. Κωδ.: IXFH32N50Q
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 40A/300V
B. Κωδ.: IXFH40N30
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 6A/1000V
B. Κωδ.: IXFH6N100Q
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 100A/100V
B. Κωδ.: IXFK100N10
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 100A/250V
B. Κωδ.: IXFK100N25
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 24A/1000V
B. Κωδ.: IXFK24N100
ΤΡΑΝΖ.POWER MOSFET HIPERFET 32A/600V
B. Κωδ.: IXFK32N60