Τρανζίστορ 2SD882 NPN 3A, 30V 2SD882
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1.1 V Maximum Operating Temperature +150 °C Maximum Operating Frequency 100 MHz Number of Elements per Chip 1 Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.2 V Length 7.8mm Maximum Collector Base Voltage 60 V
- Εταιρεία: ST MICROELECTRONICS
- Κωδικός είδους: 000001017007
- B. Κωδ.: 2SD882
-
Διαθεσιμότητα:
Διαθέσιμο
Σημαντικό: Για παραλαβή από το κατάστημά μας θα πρέπει πρώτα να επικοινωνήσετε τηλεφωνικά μαζί μας προς αποφυγή οποιασδήποτε ταλαιπωρίας.
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1.1 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.2 V
Length 7.8mm
Maximum Collector Base Voltage 60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1.1 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.2 V
Length 7.8mm
Maximum Collector Base Voltage 60 V
Transistor Configuration Single
Brand STMicroelectronics
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V
Package Type SOT-32
Maximum Power Dissipation 12.5 W
Mounting Type Through Hole
Minimum Operating Temperature -65 °C
Width 2.7mm
Maximum DC Collector Current 3 A
Transistor Type NPN
Height 10.8mm
Pin Count 3
Dimensions 10.8 x 7.8 x 2.7mm
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Minimum DC Current Gain 30
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 2SD2390,Silicon NPN Triple Diffused Planar
B. Κωδ.: 2SD2390
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 2SD2499 SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED
B. Κωδ.: 2SD2499
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ 2SD669 NPN Low Frequency Power
B. Κωδ.: 2SD669